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2020-08-15 21:53
英特爾宣布新工藝英特爾宣布新工藝
英特爾宣布了混合結(jié)合封裝和SuperFin工藝。混合結(jié)合技術(shù)能夠加速實(shí)現(xiàn)10微米及以下的凸點(diǎn)間距,每平方毫米的凸點(diǎn)數(shù)量也能超過1萬(wàn),增加足足25倍。SuperFin工藝由增強(qiáng)型FinFET晶體、Super MIM電容器結(jié)合而來,能夠提供增強(qiáng)的外延源極/漏極、改進(jìn)的柵極工藝,基于SuperFin晶體管技術(shù)等創(chuàng)新的加強(qiáng),10nm工藝可以實(shí)現(xiàn)節(jié)點(diǎn)內(nèi)超過15%的性能提升。 3項(xiàng)世界之最 長(zhǎng)江存儲(chǔ)128層QLC閃存首次公開亮相昨日,長(zhǎng)江存儲(chǔ)128層QLC閃存在中國(guó)電子信息博覽會(huì)首次亮相。長(zhǎng)江存儲(chǔ)這次展示了64層、128層堆棧的閃存,其中64層TLC閃存是國(guó)內(nèi)首個(gè)自研量產(chǎn)的64層閃存,基于Xtacking堆疊架構(gòu),單位面積的存儲(chǔ)密度是同類產(chǎn)品中最大的。英特爾發(fā)布全新Xe架構(gòu)GPUIntel實(shí)驗(yàn)室給出的測(cè)試成績(jī)顯示,4Tile的FP32(單精度)浮點(diǎn)性能居然達(dá)到了42TFLOPS,號(hào)稱目前單芯片全球第一。相較于1Tile的10588GFLOPS,放大比是3.993:1。 |
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