三星3nm芯片將于第二季度開始量產(chǎn)
三星電子宣布,將在本季度開始使用3GAE(早期3nm級(jí)柵極全能)工藝進(jìn)行大規(guī)模生產(chǎn),這也是首個(gè)使用環(huán)柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(GAAFETs)的節(jié)點(diǎn)。三星方面表示:“這是世界上首次大規(guī)模生產(chǎn)的GAA 3納米工藝,將以此提高技術(shù)領(lǐng)先地位。”
三星電子宣布,將在本季度開始使用3GAE(早期3nm級(jí)柵極全能)工藝進(jìn)行大規(guī)模生產(chǎn),這也是首個(gè)使用環(huán)柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(GAAFETs)的節(jié)點(diǎn)。三星方面表示:“這是世界上首次大規(guī)模生產(chǎn)的GAA 3納米工藝,將以此提高技術(shù)領(lǐng)先地位。”