山沃電子集團是一家專門從事電子零件代理銷售及相關(guān)技術(shù)支持與服務(wù)的專業(yè)化公司，總部設(shè)在香港。在香港、北京、深圳、廣州均設(shè)經(jīng)營單位。目前是韓國Fine SPN品牌的POWER SEMIConDUCTORS(功率元件如IGBT模塊)的一級代理商.同時代經(jīng)營代理一些國際品牌IC集成電路。 韓國Fine SPN公司成立1990年，我們在功率模塊的研發(fā)生產(chǎn)上已有10年的歷史。在韓國，SPN是而且是一家從事大功率的電力電子模塊、IGBT模塊、二極管和IPM等產(chǎn)品研發(fā)和生產(chǎn)的廠家。SPN生產(chǎn)的IGBT模塊已經(jīng)向歐洲的英國、法國、意大利、德國等國家大量出口. 該品牌IGBT模塊各型號如下：
FGM75D06AV1 FGM100D06AV1 FGM150D06AV1 FGM200D06AV2 FGM300D06AV3 FGM400D06AV3
FGM75D12SV1 FGM100D12SV1 FGM150D12SV2 FGM150D12SV3 FGM200D12SV3 FGM75D12AV1
FGM100D12AV1 FGM150D12AV3 FGM200D12AV3 FGM300D12AV3 主要應(yīng)用在焊接設(shè)備，電焊機，電鍍電解電源，變頻器，UPS,EPS,工業(yè)自動化，超聲波，高頻感應(yīng)加熱，通訊電源，逆變電源等設(shè)備。產(chǎn)品性能質(zhì)量穩(wěn)定，而且性價比很好.該公司模塊進入中國市場兩年多以來，深的廠家好評，目前國內(nèi)焊接設(shè)備、變頻器、電源等行業(yè)的許多廠家都在使用該公司的模塊產(chǎn)品。 北京山沃電子科貿(mào)有限公司為該公司IGBT模塊國內(nèi)一級代理商,現(xiàn)有現(xiàn)貨大量供應(yīng)，價格相對西門子、三凌、歐派克、富士、IXYS等品牌的模塊都具有很大的優(yōu)勢；歡迎來電咨詢定購！電話：***
相關(guān)建材詞條解釋：
模塊
在程序設(shè)計中，為完成某一功能所需的一段程序或子程序；或指能由編譯程序、裝配程序等處理的獨立程序單位；或指大型軟件系統(tǒng)的一部分。模塊,又稱構(gòu)件,是能夠單獨命名并獨立地完成一定功能的程序語句的集合（即程序代碼和數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)的集合體）。它具有兩個基本的特征：外部特征和內(nèi)部特征。外部特征是指模塊跟外部環(huán)境聯(lián)系的接口（即其他模塊或程序調(diào)用該模塊的方式，包括有輸入輸出參數(shù)、引用的全局變量）和模塊的功能；內(nèi)部特征是指模塊的內(nèi)部環(huán)境具有的特點（即該模塊的局部數(shù)據(jù)和程序代碼）。模塊有各種類型，如單元操作模塊（換熱器、精餾塔、壓縮機等）、計算方法模塊（加速收斂算法、最優(yōu)化算法等）、物理化學(xué)性質(zhì)模塊（汽液相平衡計算、熱焓計算等）等。
IGBT
IGBT左邊所示為一個N溝道增強型絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu)，N+區(qū)稱為源區(qū)，附于其上的電極稱為源極。P+區(qū)稱為漏區(qū)。器件的控制區(qū)為柵區(qū)，附于其上的電極稱為柵極。溝道在緊靠柵區(qū)邊界形成。在漏、源之間的P型區(qū)（包括P+和P-區(qū)）（溝道在該區(qū)域形成），稱為亞溝道區(qū)（Subchannelregion）。而在漏區(qū)另一側(cè)的P+區(qū)稱為漏注入?yún)^(qū)（Draininjector），它是IGBT特有的功能區(qū)，與漏區(qū)和亞溝道區(qū)一起形成PNP雙極晶體管，起發(fā)射極的作用，向漏極注入空穴，進行導(dǎo)電調(diào)制，以降低器件的通態(tài)電壓。附于漏注入?yún)^(qū)上的電極稱為漏極。IGBT的開關(guān)作用是通過加正向柵極電壓形成溝道，給PNP(原來為NPN)晶體管提供基極電流，使IGBT導(dǎo)通。反之，加反向門極電壓消除溝道，切斷基極電流，使IGBT關(guān)斷。IGBT的驅(qū)動方法和MOSFET基本相同，只需控制輸入極N-溝道MOSFET，所以具有高輸入阻抗特性。當MOSFET的溝道形成后，從P+基極注入到N-層的空穴（少子），對N-層進行電導(dǎo)調(diào)制，減小N-層的電阻，使IGBT在高電壓時，也具有低的通態(tài)電壓。
FGM75D06AV1 FGM100D06AV1 FGM150D06AV1 FGM200D06AV2 FGM300D06AV3 FGM400D06AV3
FGM75D12SV1 FGM100D12SV1 FGM150D12SV2 FGM150D12SV3 FGM200D12SV3 FGM75D12AV1
FGM100D12AV1 FGM150D12AV3 FGM200D12AV3 FGM300D12AV3 主要應(yīng)用在焊接設(shè)備，電焊機，電鍍電解電源，變頻器，UPS,EPS,工業(yè)自動化，超聲波，高頻感應(yīng)加熱，通訊電源，逆變電源等設(shè)備。產(chǎn)品性能質(zhì)量穩(wěn)定，而且性價比很好.該公司模塊進入中國市場兩年多以來，深的廠家好評，目前國內(nèi)焊接設(shè)備、變頻器、電源等行業(yè)的許多廠家都在使用該公司的模塊產(chǎn)品。 北京山沃電子科貿(mào)有限公司為該公司IGBT模塊國內(nèi)一級代理商,現(xiàn)有現(xiàn)貨大量供應(yīng)，價格相對西門子、三凌、歐派克、富士、IXYS等品牌的模塊都具有很大的優(yōu)勢；歡迎來電咨詢定購！電話：***
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模塊
在程序設(shè)計中，為完成某一功能所需的一段程序或子程序；或指能由編譯程序、裝配程序等處理的獨立程序單位；或指大型軟件系統(tǒng)的一部分。模塊,又稱構(gòu)件,是能夠單獨命名并獨立地完成一定功能的程序語句的集合（即程序代碼和數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)的集合體）。它具有兩個基本的特征：外部特征和內(nèi)部特征。外部特征是指模塊跟外部環(huán)境聯(lián)系的接口（即其他模塊或程序調(diào)用該模塊的方式，包括有輸入輸出參數(shù)、引用的全局變量）和模塊的功能；內(nèi)部特征是指模塊的內(nèi)部環(huán)境具有的特點（即該模塊的局部數(shù)據(jù)和程序代碼）。模塊有各種類型，如單元操作模塊（換熱器、精餾塔、壓縮機等）、計算方法模塊（加速收斂算法、最優(yōu)化算法等）、物理化學(xué)性質(zhì)模塊（汽液相平衡計算、熱焓計算等）等。
IGBT
IGBT左邊所示為一個N溝道增強型絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu)，N+區(qū)稱為源區(qū)，附于其上的電極稱為源極。P+區(qū)稱為漏區(qū)。器件的控制區(qū)為柵區(qū)，附于其上的電極稱為柵極。溝道在緊靠柵區(qū)邊界形成。在漏、源之間的P型區(qū)（包括P+和P-區(qū)）（溝道在該區(qū)域形成），稱為亞溝道區(qū)（Subchannelregion）。而在漏區(qū)另一側(cè)的P+區(qū)稱為漏注入?yún)^(qū)（Draininjector），它是IGBT特有的功能區(qū)，與漏區(qū)和亞溝道區(qū)一起形成PNP雙極晶體管，起發(fā)射極的作用，向漏極注入空穴，進行導(dǎo)電調(diào)制，以降低器件的通態(tài)電壓。附于漏注入?yún)^(qū)上的電極稱為漏極。IGBT的開關(guān)作用是通過加正向柵極電壓形成溝道，給PNP(原來為NPN)晶體管提供基極電流，使IGBT導(dǎo)通。反之，加反向門極電壓消除溝道，切斷基極電流，使IGBT關(guān)斷。IGBT的驅(qū)動方法和MOSFET基本相同，只需控制輸入極N-溝道MOSFET，所以具有高輸入阻抗特性。當MOSFET的溝道形成后，從P+基極注入到N-層的空穴（少子），對N-層進行電導(dǎo)調(diào)制，減小N-層的電阻，使IGBT在高電壓時，也具有低的通態(tài)電壓。
粵公網(wǎng)安備 44030402000745號 