談到掩膜板.首先要談到掩膜版制造設(shè)務(wù)一一圖形發(fā)生器(PatternGenerator)。 目前，金屬掩膜板制造設(shè)備供應(yīng)a主要有三家:Micronic. Jeot和NuFlare.制作工藝分為激光和電了束兩種圖形描繪方式，但兩種方式各有利弊。采用激光來(lái)描繪圖形的優(yōu)勢(shì)是速度快、效豐高，但精度不如電了束掃描方式:而采川電一r束描繪圖形，雖然精度高，們描繪速度慢、生產(chǎn)效率低。由于兩種方式的互補(bǔ)性，光刻掩膜板制造商會(huì)分別A買(mǎi)兩種設(shè)備.當(dāng)制備線寬要求很高的電路圖形時(shí)使用電子束掃描.對(duì)于線寬要求不是很高的電路圖形則使)日激光掃描.兩種設(shè)備的交桿使用既滿足了精度要求.也大大提高了速度，同時(shí)也大大降低了制造商的投資成本。隨著技術(shù)的發(fā)展.這種狀況正在改變。三家掩膜板制造設(shè)備供應(yīng)商都對(duì)各自的弱點(diǎn)有了技術(shù)上的改進(jìn)。生產(chǎn)激光川形發(fā)生器的Micronic于2005年推出了Sigma7500.它與傳統(tǒng)的激光圖形發(fā)生器有所不同據(jù)Micronic的合作伙伴—臺(tái)灣Hermes-Epitek公司光罩設(shè)備部門(mén)經(jīng)Pi.林文盛介紹.Sigma7500采III Micronic的SLM(Spatial Light Modulator)技術(shù).含有百萬(wàn)個(gè)鏡片的SLM會(huì)將深紫外光(DUV)準(zhǔn)分了激光反射到掩膜版來(lái)產(chǎn)生光掩膜，可用于制備90. 65. 45nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)量產(chǎn)H)光掩膜版。 Sigma7500在二ii;對(duì)稱性(Anisotropic- bias).較小線寬偏ri (CD-biasing)、峭變校正(Distortion Correction)和方角銳化(CornerEnhancement)-’I方M.t” f形進(jìn)行處39!. i(d這些處理是通過(guò)對(duì)像素的在線數(shù)v調(diào)v來(lái)實(shí)現(xiàn)的，不影響ICI形描繪速度。Sigma7500埔加的自檢A能(Self-Metrology)改井了系統(tǒng)的精度，在較小線寬和定位精度上提高了25%.廣城線寬均勻性(Global CD Uniformity)和局域線寬均勻性(Local CDUniformity)有很大改善。并開(kāi)發(fā)了在掩膜板制造過(guò)程中劉系統(tǒng)CD議差的校正功能。
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掩膜
MASK(掩膜)：?jiǎn)纹瑱C(jī)掩膜是指程序數(shù)據(jù)已經(jīng)做成光刻版，在單片機(jī)生產(chǎn)的過(guò)程中把程序做進(jìn)去。優(yōu)點(diǎn)是：程序可靠、成本低。缺點(diǎn)：批量要求大，每次修改程序就需要重新做光刻板，不同程序不能同時(shí)生產(chǎn)，供貨周期長(zhǎng)。在半導(dǎo)體制造中，許多芯片工藝步驟采用光刻技術(shù)，用于這些步驟的圖形“底片”稱為掩膜（也稱作“掩模”），其作用是：在硅片上選定的區(qū)域中對(duì)一個(gè)不透明的圖形模板遮蓋，繼而下面的腐蝕或擴(kuò)散將只影響選定的區(qū)域以外的區(qū)域。
線寬
4微米/1微米/0.6微米/0.35微米等,是指IC生產(chǎn)工藝可達(dá)到的最小導(dǎo)線寬度(注:應(yīng)為最小溝道長(zhǎng)度,IC工藝的核心是MOS尺寸,所以最小導(dǎo)線寬度的說(shuō)法不準(zhǔn)確),是IC工藝先進(jìn)水平的主要指標(biāo).線寬越小,集成度就高,在同一面積上就集成更多電路單元.在光學(xué)中指光源的線寬，比如激光線寬。光從激光器中射出，激光起振后,會(huì)有一個(gè)或多個(gè)縱模產(chǎn)生,每個(gè)縱模的頻率的范圍就是激光的線寬。注意每個(gè)縱模的頻率寬度和縱模之間的間隔是兩個(gè)不同的概念,縱模間隔是相鄰兩個(gè)縱模中心頻率的差值。激光線寬由諧振腔的品質(zhì)因數(shù)決定,腔的品質(zhì)因數(shù)越高,激光線寬就越窄?？紤]激光介質(zhì)的增益后,激光的線寬的理論極限由增益介質(zhì)的自發(fā)輻射來(lái)決定,例如對(duì)于He-Ne,其線寬的理論極限約為10^-3Hz量級(jí)。當(dāng)然實(shí)際的激光器中還有各種線寬展寬機(jī)制,使的激光線寬一般達(dá)不到其理論極限,例如對(duì)于He-Ne,溫度變化0.01度引起的模式頻率漂移約0.1MHz,實(shí)際He-Ne的激光線寬可達(dá)到1MHz,固體激光器中線寬可達(dá)1埃左右。
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掩膜
MASK(掩膜)：?jiǎn)纹瑱C(jī)掩膜是指程序數(shù)據(jù)已經(jīng)做成光刻版，在單片機(jī)生產(chǎn)的過(guò)程中把程序做進(jìn)去。優(yōu)點(diǎn)是：程序可靠、成本低。缺點(diǎn)：批量要求大，每次修改程序就需要重新做光刻板，不同程序不能同時(shí)生產(chǎn)，供貨周期長(zhǎng)。在半導(dǎo)體制造中，許多芯片工藝步驟采用光刻技術(shù)，用于這些步驟的圖形“底片”稱為掩膜（也稱作“掩模”），其作用是：在硅片上選定的區(qū)域中對(duì)一個(gè)不透明的圖形模板遮蓋，繼而下面的腐蝕或擴(kuò)散將只影響選定的區(qū)域以外的區(qū)域。
線寬
4微米/1微米/0.6微米/0.35微米等,是指IC生產(chǎn)工藝可達(dá)到的最小導(dǎo)線寬度(注:應(yīng)為最小溝道長(zhǎng)度,IC工藝的核心是MOS尺寸,所以最小導(dǎo)線寬度的說(shuō)法不準(zhǔn)確),是IC工藝先進(jìn)水平的主要指標(biāo).線寬越小,集成度就高,在同一面積上就集成更多電路單元.在光學(xué)中指光源的線寬，比如激光線寬。光從激光器中射出，激光起振后,會(huì)有一個(gè)或多個(gè)縱模產(chǎn)生,每個(gè)縱模的頻率的范圍就是激光的線寬。注意每個(gè)縱模的頻率寬度和縱模之間的間隔是兩個(gè)不同的概念,縱模間隔是相鄰兩個(gè)縱模中心頻率的差值。激光線寬由諧振腔的品質(zhì)因數(shù)決定,腔的品質(zhì)因數(shù)越高,激光線寬就越窄?？紤]激光介質(zhì)的增益后,激光的線寬的理論極限由增益介質(zhì)的自發(fā)輻射來(lái)決定,例如對(duì)于He-Ne,其線寬的理論極限約為10^-3Hz量級(jí)。當(dāng)然實(shí)際的激光器中還有各種線寬展寬機(jī)制,使的激光線寬一般達(dá)不到其理論極限,例如對(duì)于He-Ne,溫度變化0.01度引起的模式頻率漂移約0.1MHz,實(shí)際He-Ne的激光線寬可達(dá)到1MHz,固體激光器中線寬可達(dá)1埃左右。
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