Samsung 開始生產(chǎn) 10 納米級 DRAM
據(jù) TIMES,Samsung 已經(jīng)開始生產(chǎn) 10 納米級 DRAM。據(jù)悉,Samsung 在今年年 初宣布半導(dǎo)體事業(yè) 2016年 將正式進(jìn)入 10 納米時代,借著量產(chǎn) 18 納米 DRAM 與 10 納米鰭式場效晶體管 (FinFET) 制程芯片,以擴(kuò)大技術(shù)差距的策略守住半導(dǎo)體領(lǐng)先優(yōu)勢。業(yè)界認(rèn)為 Samsung 最快在 2016 Q4 就可采用 10 納米 FinFET 制程量產(chǎn)系統(tǒng)半導(dǎo)體,進(jìn)度可望超越 Intel 的 14 納米與臺積電的 16 納米制程。


























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