上一貼：三星成功突破3nm低良率難關(guān)

三星成功突破3nm低良率難關(guān)三星電子此前曾表示，將在本季度開始使用 3GAE (早期 3nm 級柵極全能) 工藝進行大規(guī)模生產(chǎn)。但之前業(yè)界傳出三星3nm良率僅為20～30%，可能拖累量產(chǎn)進程。不過，近期業(yè)界再次傳出消息稱三星 3nm 良率問題已解決，3nm GAA 制程將如期量產(chǎn)。

下一貼：西數(shù)、鎧俠優(yōu)化閃存性能

西數(shù)、鎧俠優(yōu)化閃存性能近年來，QLC一直是低端SSD繞不過去的選擇，但它被詬病的一個地方就是性能太慢。西數(shù)及鎧俠目前的主力閃存BiCS5中沒有QLC閃存類型，但在下一代的BiCS6中會重新推出QLC，并進行了大量性能優(yōu)化，不僅核心面積低于其他廠商，而且編程速度提升到了60MB/s，達到優(yōu)化前的5倍。